Hersteller Produktnummer:
TSM900N06CW RPG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM900N06CW RPG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 6A (Tc) 7.8W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
11279 Stück Neu Original Auf Lager
12895876
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TSM900N06CW RPG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
525 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
7.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
TSM900
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM900N06CWRPGDKR
TSM900N06CW RPGTR
TSM900N06CW RPGTR-DG
TSM900N06CW RPGCT-DG
TSM900N06CWRPGCT
TSM900N06CW RPGDKR
TSM900N06CW RPGDKR-DG
TSM900N06CW RPGCT
TSM900N06CWRPGTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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